簡易檢索 / 檢索結果

  • 檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "葉秉慧".cadvisor (精準) and ckeyword.raw="氮化銦鎵"


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    表面結構化對氮化銦鎵p-i-n光感測器特性之影響
    • 電子工程系 /103/ 碩士
    • 研究生: 黃義廷 指導教授:
    • 本論文使用InGaN/GaN多重量子井主動層結構磊晶在圖案化藍寶石基板的晶圓,以表面結構化處理的技術研製p-i-n光偵測器,我們製作兩種不同材料的表面結構處理,分別為:(1)ITO表面粗糙化;以及(…
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    GaN/InGaN多重量子井之太陽電池模擬研究
    • 光電工程研究所 /97/ 碩士
    • 研究生: 張凱彥 指導教授:
    • InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV (GaN)調變至0.7eV (InN),其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜,所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…
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    • 全文公開日期 2014/07/27 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)
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